發布的日子:2019-02-22 10:24:49 瀏覽訪問:2633
Wolfspeed的CGHV96100F2是氫氟酸處理硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子器材遷址率晶狀體管(HEMT)。與各種技術水平相對,這樣GaN里面的配備(IM)FET兼有精湛的電率額外增加質量。與硅或砷化鎵想必,GaN具有著優秀的耐磨性,涵蓋更為重要的穿透電阻,更為重要的呈現飽和狀態網上漂移轉速和更為重要的熱傳導率。與GaAs多晶體管優于,GaN HEMT還帶來了更好 的輸出密度計算公式和更寬的上行帶寬。該IM FET用到黑色金屬/陶瓷廠家法蘭盤封裝,兼備最好的的電器和性熱能。
特征
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CREE
CGHV96100F2
1周
320
最高值讀取效率 | 100W | |
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選用 | L頻譜/ S頻譜/ X頻譜/ C頻譜/ Ku頻譜 | |
經典的熱效果增添效果PAE | 45% | |
典型性耗油率(PSAT) | 145瓦 | |
電率增加收益 | 10音貝 | |
上班電阻 | 40 V | |
率 | 7.9 - 9.6 GHz | |
包裝機類形 | 輪緣 | |
內部的連接 | 是 - 50Ω |
示意圖