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GaN是種十分的穩固的氧化物，更具比較強的原子核鍵、高的熱導率、至高的電離度和不穩界定的物理穩固性，這隨著GaN電子元件比Si和GaAs享有更強的抗福射效率。同一時間，GaN不是種高沸點、高熱傳導性的材質。GaN工作電壓元器件常常以SiC為襯底，都具有較佳的熱導率，為此GaN輸出元器件封裝包括較高的結平穩常溫上班意識。

GaN高電子器材搬遷率晶胞管(HEMT)早已成為為5G大中型通信基站電率調小器的趨勢獲選技能，基于其當下的的高穿透電流電壓、高電率體積、大速率和快速率，作罷為5 G基站設備省心半導體材料技藝。

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離散瓦數GaN HEMT