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QORVO分立多晶體管GAAS PHEMT

發布新聞時長：2022-02-08 17:14:25     瀏覽網頁：1613

Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提供多種多樣的分立晶體管組件。QORVO分立晶體管GAAS PHEMT接受用戶在設計低噪聲放大器(LNA)電源電路時完全控制。各類分立FET提供低至0.15dB的NF（最小值），最高可采用22GHz。還提供匹配晶體管，特別適合平衡LNA設計。

重點結構特征

低好燥聲彈性系數——低至0.15dBNF（較小值）

提高裸片或打包封裝表現形式

應用行業領域

微波通信移動信號塔

防御通信網絡

雙向(PtP)無線網絡電

南京市立維創展信息技術是QORVO的經銷處商，基本供給QORVO公率增加器，   IC和裸集成電路芯片，立維創展具有增強的生產商產品線，售價強勢，并不少常備期貨存量，的歡迎網絡咨詢。

祥情知曉Qorvo請點擊：http : //yhme.cn/public/brand/4.html

 波導晶體探測器.JPG

Part #

Frequency Min
MHz

Frequency Max
MHz

Type

Gain
dB

OP1dB
dBm

Psat
dBm

NF
dB

PAE
%

Vd
V

Idq
mA

QPD2018D

DC

20,000


14

22

22

1

55

8

29

QPD2025D

DC

20,000


14

24

24

0.9

58

8

40

QPD2040D

DC

20,000


13

26

26

1.1

55

8

65

QPD2060D

DC

20,000


12

28

28

1.4

55

8

97

QPD2080D

DC

20,000


11.5

29.5

29.5

1

56

8

130

QPD2120D

DC

20,000


11

31

31

1

57

8

194

QPD2160D

DC

20,000


10.4

32.5

32.5

1

63

8

258

TQP3M6005

1,700

2,000


17.9

21.6


0.36


4.5

50


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