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UMS微波通信GaN耗油率單晶體管

更新時期:2022-03-01 17:02:12     手機瀏覽:1392

氮化鎵具備優質的耐高溫性,因此氮化鎵制成的電力電子產品幾乎不需要制冷。晶體管主要是由硅制作而成,應用在高壓線路中計算和提高電子器件射頻信號。

GaN熱效率單晶體管通暢是L和S光波雷達天線機系統斜線性和壓縮視頻工作效率拖動器的有源器件。GaN輸出結晶管因其低精力消耗量和高輸出容重,在電量自動化區域的采用愈來愈越非常。它可采用在航空公司自動化、商業區服務質量、工業企業出產、醫遼機器設備和飲水機軍事訓練區域的輸電線路和軟件中的很多采用區域。植物的根都動用光纖寬帶隙GaN半導體設備用料的性能指標,在小封裝類型中產生了提供高工作電壓密度單位和高輸送工作電壓電平的RF/徽波晶胞管。

UMS展示 體系結構ASIC或根目錄廠品的周到來報價,具體應用于裝修公司內部的的III-V能力,并供應全部的合同書功能,使潛在客戶就可以同時創建你的品牌克服設計方案。UMS從DC到100 GHz的所有的的目錄貨品全都基本概念GaAs、GaN、SiGe水平,其中包括獨角獸高達200 W的瓦數變成器、混合著網絡信號體系、非常低躁聲變成器和完正的出入庫器體系。UMS物料以管芯的行式提拱,但一般來說以多IC芯片板塊的行式封裝。

珠海市立維創展科技創新是有限的限公司是UMS的一級經銷商,專門為wlan安全可靠水利、航空移動信號塔、國防科技、汽車行業、ism等市場能提供高能信性紅外光射頻紅外光直徑波電子器件及結合集成運放。UMS產品的采取QFN和沖壓模具紙盒包裝,快速交貨,工程團隊不斷突破工藝瓶頸,根據不同產品的特性,制定不同的生產工藝期短,費用優質特點。當我們為些尺寸能提供優效率的UMS服務庫存管理。喜愛諮詢。

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UMS微波GaN功率晶體管

Reference

Glin
(dB) @ Freq
(GHz)

Operating Frequency
(GHz)

Saturated Power
(W)

PAE
(%) @ Freq
(GHz)

Bias
(mA)

Bias
(V)

Case

CHKA011aSXA

23.5 @ 0.44

Up to 1.5

130

75 @ 0.44

640

50

Ceramic Metal Flange

CHK8013-99F

17 @ 6

Up to 10

14

70 @ 6

180

30

Die

CHK9014-99F

13 @ 12

Up to 13

60

50 @ 12

700

30

Die

CHK8015-99F

17 @ 9

Up to 18

20

68 @ 9

200

30

Die

CHKA012a99F

20 @ 3

Up to 4

140

76 @ 3

0.65

50

Die

CHK015AaQIA

18 @ 3

Up to 4

20

55 @ 3

800

50

QFN Plastic package

CHK8101a99F

14 @ 6

Up to 6

20

60 @ 6

0.1

50

Die

CHK9013-99F

18 @ 6

Up to 8

88

65@6

1100

30

Die


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