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UMS分米波內配備GAN電功率晶胞管

正式發布時段:2022-04-13 16:54:30     挑選:964

GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMS毫米(mm)波打造對于ASIC或列表品牌的全工作方面來報價,一般來源于機構實物的III-V技藝,并出示全個方面的委托合同服務保障,使的客戶還可以直接的建立起本人的品牌很好解決計劃書。UMSmm波的一切列表產品從DC到100GHz都來源于GaAs、Gan和SiGe技木,其中包括可以達到200W的電率縮放器、攪拌信息效果、非常低環境噪聲縮放器和詳細的收發的時候器系統性。UMS軟件以黑色防靜電鑷子的主要方式提供數據,但大多數以多IC芯片控制器的主要方式裝封。

西安市立維創展社會現有工司是UMS的代商,技術專業為無線網通訊技術工程建設、航空移動通信基站、國家安全、汽車行業、ism等行業內帶來高可靠的性rf射頻紅外光豪米波電子器件及整合電源電路。UMS車輛利用QFN和壓鑄模封裝,提供了貨期短,價格競爭優勢多樣。各位為一下型號規格提供了高品品質的UMS企業產品庫存管理。邀請咨詢公司。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


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