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C中波段氮化鎵 HEMT增加器CGHV1F025 CREE

發布了時候:2022-08-17 16:53:17     閱讀:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S運作模式在40伏鐵路網道岔上,裝封在3mmx4mm;表皮怎么安裝;雙扁型無輸電線(DFN)二極管封裝。縮短了功效;CGHV1F025都可以從40V至20VVDD直流電壓下加載;持續高增加收益和高效能率。

共同點

高達mg15GHz的超控

25W舉例輸送工作效率

9.4GHz時11dB增益值值

8.9–9.6GHz的水平廣泛應用集成運放

技術應用

L;S;C;X 和Ku波長變成器

CREE(科銳)設立于1987年,CREE科銳具備30幾十年的網絡帶寬GAP原物料料和信息化成品,CREE科銳一個完全的規劃企業合作粉絲,復合rf射頻的標準,CREE科銳為行行業內科技進取的絲機裝備能提供更強的額定功率和更低的實用功能不足。CREE科銳由最逐漸的GaN基本的材質材料LED產品新技術當先全全球,到微波通信頻射與毫米左右波單片機芯片產品,CREE科銳于2017年分離法出紅外光頻射國際品牌Wolfspeed,以帶寬、大工作效率調小器品牌為代表性。

東莞 市立維創展社會是CREE的經售商,收獲CREE紅外光元件強勢訂貨校園推廣渠道,并暫時倉庫外盤,以備不時之需中國現代行業使用需求。

詳情介紹要了解CREE頻射徽波請超鏈接://yhme.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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