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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

后面，顧客認真的優秀成果出現無源GaN混頻器設計制作方案在插入三階交調截點（IIP3）與本機震蕩器（LO）推動器的比例領域高出擁有砷化鎵（GaAs）無源混頻器設計制作方案 - a口感質因數設計MMIC時未創作非波形學習效應。從S波長到K波長（2 GHz到19 GHz），這類新興無源GaN混頻器商品展示的IIP3數字1遠高出30 dBm，LO推動電平約為20 dBm，非波形學習效應高出10 dB。

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