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CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。
特征英文
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常見的脈沖激光重復波性能參數;960–1215MHz;50V;單雙層;128μs脈沖發生器長寬;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的崗位輸出馬力;崗位成功率=68%;增益控制值=17dB
無鉛并充分滿足RoHS規范
用途領域行業
雷達探測調小器
CREE(科銳)開辦于1987年,CREE科銳必備條件305年的移動寬帶GAP鋼筋取樣料和革新品設備,CREE科銳是一個個完善的結構設計企業合作火伴,合適頻射的需要,CREE科銳為行業內人士技術工藝優勢的服務器環保設備帶來了更強的電功率和更低的功用損耗量。CREE科銳由最現在開始的GaN材料LED產品的設備技術水平優勢全球上,到微波加熱頻射與厘米波存儲芯片產品的設備,CREE科銳于2017年離心分離出微波加熱頻射產品品牌Wolfspeed,以寬帶網、大電率縮放器商品為杭州特色。
東莞市立維創展科技信息是CREE的代理商商,開發CREE微波射頻功率器件勝機供應業務,并長年庫存商品現貨交易,以期中華的市場供給。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |