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Electro-Photonics的Q3XG-1850R交叉耦合器物備SMT能力，相對意見與建議的層面板空間布局實施著力優化系統整改。配用中小企業型封裝，還具有低插入表格消耗和高電功率能力。Q3XG-1850R結合解耦器關鍵使用窄帶和網絡帶寬功效放縮器應該用研究方向。

Q3XG-1850R藕合器是非曲直永磁鐵的，適用在MRI運用上在使用。Dragon?交叉耦合器在海外的的設計制作，符合RoHS和REACH基準。

Q3XG-1850R標外表處置是浸錫。能不同所需提拱化學式鍍鎳浸金(ENIG)。

特色

1500–2200MHz

低不足

高要進行隔離度

嚴峻的波幅平衡性性

90度正交

從表面貼裝技巧

CTE兼容性測試

DCS、PCS、LTE次數段

卷帶決定

評估報告板722-0006-03-E01

技術參數

規格為：0.560x0.350英尺

率：1500-2200MHz

額定負載電功率：165瓦

讀取不足：0.10dB

幅度過動平衡機性：±.2

隔離開度：28dB

駐波比：1.15

相位平衡點性：±2