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CREE的CGHV96130F是增碳硅(SiC)材料的特性上的氮化鎵(GaN)高挪動率納米線管(HEMT)與其余技藝不同之處，CGHV96130F外部適用于(IM)FET體現了優秀的電機功率額外增加學習效率。與砷化鎵相較于，GaN具備有有效的的性能；包含極高的電壓擊穿場強；極高的過剩光學漂移訪問速度和極高的熱導率。與GaAs尖晶石管相較，GaN HEMT還有高的輸出孔隙率和更寬的傳輸速率。CGHV96130F適用五金/陶瓷廠家活套法蘭封裝可以進行最好的電和熱穩定的性。

特殊性

166WPOUT（經典值）

7.5dB工率收獲值

42%舉例PAE

50Ω內部的自適應

<0.3dB輸出減低

企業產品品種

文章的話：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；重點主要用于X光波統計應用軟件的輸入/打印輸出兼容性測試GaNHEMT

最短頻段(MHz)：8400

最主要工作頻率(MHz)：9600

最低值打出額定功率(W)：130

速度（％）：42

固定相電壓(V)：40