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CGHV50200F是種專業開發用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

基本特征

4.4–5.0GHz工做

180W種類PSAT

11.5dB最常見電機功率增益控制值

48%常見的電原吸收率

50Ω內部管理匹配

應運方面

小行星通信設備

勝過視角——BLOS

對流傳熱層電子光學散射通信網絡

車輛品種

描述英文：200瓦；4400-5000MHz；50Ω讀取/輸出匹配；氮化鎵高光電子遷址率晶狀體管

最底率(MHz)：4400

最快概率(MHz)：5000

極高值輸送輸出(W)：200

增益值值(dB)：11.5

的工作熱效率（％）：33

額定功率電壓值(V)：40

形勢：封裝類型形勢分立氯化鈉晶體管

裝封型號:活套法蘭盤

枝術應運：GaN-on-SiC