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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

有特點

7.9–8.4GHz工做

80WPOUT（典型的值）

>13dB耗油率增益控制值

33%一般波形PAE

50Ω組織結構組合

<0.1dB輸出功率減少

用途教育領域

衛星影像通信設備

地面上光纖寬帶

貨品規模

講述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；設置/讀取搭配組合GaNHEMT

低頻繁(MHz)：7900

最底頻繁 (MHz)：8400

較高值工作輸出電機功率(W)：50

增加收益值(dB)：13.0

錯誤率（％）：33

額定電流(V)：40

的表現形式：打包封裝的表現形式分立晶狀體管

封裝結構類型專業類別：卡箍盤

方法利用：GaN-on-SiC