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CMPA1C1D060D是款氧化硅多晶硅上要根據氮化鎵 (GaN) 高光電子遷徙率晶胞管 (HEMT) 的單支微波加熱智能家居控制用電線路 (MMIC)；CMPA1C1D060D適用0.25 μm柵極寸尺加工制作生產工藝。與硅差距較，GaN-on-SiC兼有愈加市場大的的特性；砷化鎵或硅基氮化鎵；一般包括會高的穿透場強；會高的趨于穩定智能漂移使用率和會高的傳熱性因子。

共同點

具備著 26 dB 小數據信息增加收益值

60 W 明顯 PSAT

額定功率電壓降高至 40 V

高電壓擊穿場強

持續高溫度把控

軟件應用教育領域

PTP 無線網網絡通訊

衛星信號無線通訊上漲路由協議

品牌金橋銅業跨接線的截面積大小

敘說：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 公率圖像放大電路

至少聲音頻率(MHz)：12700

高聲音頻率(MHz)：13250

高達值導出馬力(W)：65

增加收益值(dB)：26.0

生產率（％）：30

特殊電壓值(V)：40

機制：MMIC 裸片

封口等級分類：Die

技術水平用途：GaN-on-SiC