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CREE的CMPA1D1E025F是款氫氟酸處理硅單晶硅上會按照氮化鎵 (GaN) 高電子器件轉至率硫化鋅管 (HEMT) 的單支微波射頻集成型電路設計 (MMIC)；選取 0.25 μm 柵極的尺寸加工工序。與硅相比之下較，GaN-on-SiC體現了相對良好的效能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包涵較高的擊穿電壓場強；較高的供大于求微電子漂移使用率和較高的導熱性彈性系數。CMPA1D1E025 使用 10 電線；25 mm x 9.9 mm；材料/陶瓷廠家卡箍盤封裝就能體現最非常完美的高壓電器主設備和熱平穩性。

共同點

24 dB 小數據信息收獲值

40 W 關鍵電磁數字信號 PSAT

額定電流高至 40 V

OQPSK 下 20 W 規則化工作效率

A/B類高增益控制；優質率 50 Ω MMIC Ku 頻段段高工作功率縮放器

操作域

航天軍工用和商用機 Ku k線雷達天線

服務規格尺寸

表述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 波長 GaN MMIC 熱效率變大器

最高規律(MHz)：13500

很高頻帶寬度(MHz)：14500

上限值效果效率(W)：25

增加收益值(dB)：26.0

操作學習效率（％）：16

電機額定功率電阻值(V)：40

方式：裝封的MMIC

芯片封裝品目：法蘭盤盤

技藝：GaN-on-SiC

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