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CREE的CMPA1D1E030D是款氧化硅單晶體上按照氮化鎵 (GaN) 高光電子移動率晶狀體管 (HEMT) 的片式徽波ibms電路原理 (MMIC)；CMPA1D1E030D選擇0.25μm柵極長寬比制作工藝能力。與硅不同之處較，GaN-on-SiC兼有更佳非常好的耐磨性；砷化鎵或硅基氮化鎵；收錄較高的損壞場強；較高的呈現飽和狀態電子元器件漂移速度和較高的傳熱比率。

特色

27 dB 小數字信號收獲值

30 W 典例 PSAT

操作相電壓高至 40 V

高穿透場強

高熱度控住

用區域

衛星信號網絡通訊上漲時延

成品尺寸規格

講述：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 馬力調大器

最高規律(MHz)：13750

極限速度(MHz)：14500

高達值打出電率(W)：30

增加收益值(dB)：26.0

工作效率（％）：25

事業電壓降(V)：40

模式：MMIC 裸片

二極管封裝類：Die

水平：GaN-on-SiC

廣州 市立維創展社會局限司軟件授權生產商CREE微波通信電子元器件，要是須要購CREE廠品，請點擊率右面客戶服務熱線建立聯系小編！！！