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HW-R3N-1.81-S 3dB 90°相混耦合電路器Electro-Photonics

發布信息精力：2024-05-15 08:39:57     挑選：838

　　HW-R3N-1.81-S 3dB 90°混合耦合器是由ELECTRO-PHOTONICS公司制造的。這款耦合器具有廣泛的應用和突出的特點，例如可以用于信號分割/組合，展現出優秀的寬帶射頻性能，適用于放大器電路，具有低插入損耗、高功率處理能力，以及微波混頻等功能。

HW-R3N-1.81-S 3dB 90°混合耦合器Electro-Photonics

　　具體的規格方向，HW-R3N-1.81-S混合法合體設施有確切的電功率、頻繁位置、導入重大影響、取舍和分隔度等參數值。其頻繁位置在600-1300MHz互相，導入重大影響為0.2dB，取舍度為±0.4dB，分隔度為27dB。不僅而且，該合體器的相位取舍為±4dB，且在芯片封裝工作溫度為55°C時的VSWR(電壓值駐波比)為1.2。

 POWER
  (W)		PART NUMBERFREQUENCYINSERTION LOSS
   (MHz)         (dB)		AMPLITUDE
BALANCE
(dB)		ISOLATION
(dB)		VSWRPHASE BALANCE
   500*HW-R3N-1.81-S600-1300       0.2±0.427  1.2±4

ELECTRO-PHOTONICS有了25年的攻擊微波射頻組件設計與研制臨床經驗，服務包擴分層和定向培養耦合電路器、功分器、濾波器、測試儀板、要進行隔離器、環狀器等服務。

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