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我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器，高壓技術，微波器件，功率合成器，MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員，警察，和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法，增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術，我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗，導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫，我們功率結合四，2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率，具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm，分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT一個2x1.12mm的裝制接連1.12mm的兩只DC和RF串接模快寬度圖容量動力電瓶電子元件。你們被稱為調試HIFET〔4, 5, 6，7〕。電流電流電阻值偏置電流電阻值與rf頻射一個HIFET的打出抗阻全都1.12mm模快寬度圖容量動力電瓶裝制。借助盡量挑選模快寬度圖容量動力電瓶電子元件寬度圖和串接模快寬度圖容量動力電瓶電子元件的總總數可調優HIFET佳打出抗阻比較敏感達到了50歐姆，確保移動寬帶網絡使用性能。圖2A和2B彰顯獨一環節和其二個環節的手機輸入和打出抗阻，各自。請要留意，其二個環節最好。在0.25GHz的打出根據抗阻比較敏感50歐姆。一個結論會使低rf頻射不足移動寬帶網絡相匹配，這時高打出公率確保寬頻寬的很有利于和錯誤率。這50歐姆佳打出抗阻為借助盡量挑選模快寬度圖容量動力電瓶電子元件寬度圖和系類裝制的總總數。為了其二個環節有2模快寬度圖容量動力電瓶串接，電流電流電阻值偏置電流電阻值為60V的其二個環節。