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CREE的WGC22630是款630 W（P4dB）GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器，非常適合多標準化蜂窩功率放大器技術需求設計。WGC22630具備2110-2200 MHz的優化操作控制熱增強的包覆塑料封裝。

表現GaN基SiC HEMT技能單脈沖發生器發生器CW功能：2155 MHz，48 V，40μs脈沖發生器發生器凈寬，10%pwm占空比，組成鍵入模擬輸出模擬輸出熱效率@P4dB=630 WP4dB=68%時的使用率夠滿足RoHS標淮化物品的規格介紹：熱改善GaN放小器630 W，48 V，2110-2200 MHz是最高的率（MHz）：2200供電電壓值（V）：48PSAT Watt（W）：85收獲（dB）：16.5芯片封裝：TO288-8L南京市立維創展社會較少企業管理權限經銷處CREE微波加熱器材，若是都要購CREE新產品，請點右方售后建立聯系我門！！！