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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT不是種帶寬晶胞管心片，針對于DC-3.5 GHz工作中中實行了系統優化。該元器支持軟件CW，激光脈沖和線形工作中中，輸出的電機功率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150相對實適用國家安全通信網絡，陸上手機wlan電，航空航天電子機器機器，wlan地基建筑設施，ISM軟件應用和VHF / UHF / L / S頻譜雷達探測。主要采用SIGANTIC®工藝技術工藝手工制造 - 的專有的GaN-on-Silicon技術工藝。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是亞洲地區唯一一個是一家用來rf射頻用途的GaN on Si技能加工工藝供給商。咱們在Si RF作業電壓納米線管廠品上供應豐富的間斷波（CW）GaN，是 分立智能家居控制電路芯片和摸塊，結構設計作業在DC至6 GHz。咱們的高作業電壓CW和直線納米線管是民用型航班電子技能護膚品，溝通，線上，長單脈沖聲納以其化學工業，科學研究和診療用途的完美挑選。咱們的廠品整合利用了MACOM可超過60年的以往，縱然用GaN on Si技能加工工藝供應標準化和設計緩解計劃方案，以實現大家最苛責的要。咱們的GaN on Silicon廠品，利用分立納米線管和智能家居控制增加器，利用0.5毫米HEMT加工工藝，在作業電壓，增加收益控制，增加收益控制平整度，效果個方面現象出優等的RF效果，