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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D基本模式放小器，選代替多要求蜂窩狀工作效率放小器技術工藝應用。GTVA261802FC-V1擁有輸入自適應、有轉化率和無軸環熱減弱二極管封裝的屬性。

軟件型號

闡釋：SiC HEMT上的高工率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最低的概率（MHz）：2620

極限的規律（MHz）：2690

P3dB模擬輸出電功率（W）：170

增益控制值（dB）：16.8

高效性率（%）：43

額定的電流電壓（V）：48

封口品目：Earless

封口：封口分立納米線管

技巧：SiC上的GaN

共同點

?GaN-on-SiC HEMT枝術

?填寫更換

?典范的單脈沖CW性能方面，組合式所在，

2690 MHz，48 V，10μs脈沖發生器橫向，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的打出工作功率

-P3dB時的漏極低生產率=65.5%

-P3dB=15dB時的收獲值

?是可以完畢48 V、180 W（CW）工作輸出輸出下10:1的VSWR

?超模沙盤模型1A級（隨著ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱傳導數值

?無鉛并能夠滿足RoHS標準化

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