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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高效率RF GaN放小器，操作于多規格蜂窩狀公率放小器技能操作。GTRA262802FC必備條件設置更換、有利用率和無軸環熱提高封口的性能特點。

標準主要參數

介紹：SiC HEMT的高功效RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最低的的頻率（MHz）：2490

高達頻次（MHz）：2690

P3dB傷害馬力（W）：250

收獲值（dB）：14

率（%）：54

穩定工作電壓（V）：48

二極管封裝方式：Earless

封口：封口分立納米線管

枝術用：SiC的GaN

特證

?GaN-on-SiC HEMT技術性軟件應用

?手機輸入替換

?典型的的電脈沖CW功效，2605 MHz，48 V，樂隊組合傷害，16μs脈沖發生器參數，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的輸出精度工作功率

-利用率=62%

-增益值值=14.4 dB

?同時在48 V、38 W（CW）傳輸輸出下操作流程10:1 VSWR

?名模模板1A級（據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱導率

?無鉛并滿足了RoHS規范

長沙市立維創展創新科技有限新公司英文新公司授權書生產商CREE微波加熱元器，若是所需購CREE物料，請彈框右邊在線客服連系咱們！！！