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GTRB204402FC/1是CREE的哪款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高網上轉入率晶胞管（HEMT），秉承于多準則蜂窩狀工作電壓圖像功率放大器技術工藝用意愿結構設計。GTRB204402FC滿足快速率和無軸環的熱增強裝封。

車輛要求

論述：SiC HEMT上的高最大功率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

評均頻點（MHz）：1930

比較高概率（MHz）：2020

P3dB效果電功率（W）：350

增加收益值（dB）：16.3

有吸收率率（%）：58

固定的電壓（V）：48

二極管封裝行業類別：Earless

封裝類型類型：封裝類型類型分立單晶體管

技木：SiC上的GaN

優點

典型的的單脈沖CW使用性能，2020 MHz，48 V，10μs脈沖信號屏幕寬度匹配，10%pwm占空比，三人組合打印輸出

P3dB=350W時的內容輸出工作電壓

P3dB時的高率=65%

平面模特實體模型1C級（要根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并考慮RoHS規定

東莞市立維創展科學技術有局限公司的軟件授權經銷商CREE徽波電子元器件，假如需用購CREE護膚品，請點開左下人工服務鏈接自己！！！