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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高光電子移動率單晶體管（HEMT），采用在多規定蜂窩狀工作效率變成器技藝采用。GTRB226002FC-V1必備高效、性價比最高化和無軸環的熱激發打包封裝結構。

產品設備規格

講述：SiC HEMT上的高公率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

最少的頻率（MHz）：2110

上限規律（MHz）：2200

P3dB打出效率（W）：450

收獲值（dB）：15

能力（%）：60

基本特征

典型的的脈沖激光CW機械性能：10μs激光脈沖總寬，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty沖壓模具的效率=65%

增益值值=14dB

P3dB=450W時的傳輸效率

嫩模三維模型1B級（通過ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低導熱系數

無鉛并考慮RoHS的標準

GaN基SiC HEMT科技

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