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WS1A2639-V1-R3K是CREE的一個非對應點多赫蒂輸出調小器輸出模塊（PAM），將GaN on SiC高技術APP和目前化的搭配和偏置電流電壓數據網絡整合在要具備舒適，散熱處理軟件的雙層以上層壓板材上。WS1A2639-V1-R3K頻點依據在2496 MHz至2690 MHz。還有運用是最高的50V的電源適配器相電壓；對數正態分布傷害效率標準規范為6至8 W，極高值分子越來越低，數字化預失真正LTE和5G NR大數據4g信號，瞬時下行帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被禁裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封裝類型中。

新產品的規格

講述：38.5dBmGaN on SiC熱效率擴大器信息模塊；2496-2690MHz

最低標準頻段（MHz）：2496

最底頻帶寬度（MHz）：2690

P3dB輸入功效（W）：50

收獲值（dB）：16.5

熱效率（%）：57

穩定電流電壓（V）：48

封裝類目：外層貼裝

封口：封口分立晶胞管

技藝用途：SiC上的GaN

基本特征

GaN基SiC技木適用

從元器雙側作為主導和至高值子縮放器必備柵極偏置相電壓開關電源

集成式化諧波最終

無鉛并充分考慮RoHS細則

推介的驅動包按照是WSGPA01

東莞 市立維創展科學較少有限授權使用銷售CREE微波加熱集成電路芯片，若是可以購CREE護膚品，請彈窗右方人工服務聯絡你們！！！