發表精力:2024-11-18 16:59:36 查看:694
GTRA184602FC是款460瓦(P3dB)GaN-on-SiC HEMT D策略變小器,著力推進于多細則蜂窩狀工率變小器技術用實際需求設置。其配備鍵盤輸入配備、高效能率和無軸環熱提高封口的屬性。
廠品規格
具體分析:高公率RF GaN SiC HEMT,460 W,48 V,1805-1880 MHz
高達聲音頻率(MHz):1880
增益值值(dB):15.5
裝封專業類別:Earless
本質特征
導入適應
不正確稱多爾蒂設計的概念
主:P3dB=170 W標稱值
最底值:P3dB=350W標稱值
典范脈寬CW特性:16μs電脈沖頻次;10%占空比;2140MHz;48v;多爾蒂沖壓模具
增益控制值=15dB@49dBm
速率=60%@49 dBm
P3dB=490W時的輸出精度瓦數
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