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?CGHV60170D-GP4高手機移動率尖晶石管

發布了時段:2024-11-18 17:03:20     看:754

CGHV60170D是氮化鎵(GaN)高光電轉入率晶狀體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較較,GaN掌握非常好的功能;涵蓋較高的電壓擊穿場強;飽和狀態電子無線位移進程較高;極其較高的傳熱系數性。與Si和GaAs氯化鈉晶體管相較于較,CGHV60170D打造較高的輸出功率體積密度和更寬的頻率段總寬。

CGHV60170D-GP4.png

護膚品規格尺寸

闡明:170瓦;6.0 GHz;50VGaN HEMT集成ic

低工作頻率(MHz):0

至高頻次(MHz):6000

收獲值(dB):17

封口門類:Die

優點

65%基本特征電功率疊加速率

170 W典型的PSAT

50V操控性

高穿透場強

頻繁比率高至6 GHz

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