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GTRB246608FC-V1是CREE的1款500瓦（P4dB）的SiC上GaN高電子元器件轉遷率結晶體管（HEMT），全力于多規定蜂窩狀馬力拖動器選用需要量設計的。GTRB246608FC-V1必備更高生產率和無軸環的熱開展封口。

物品型號規格

陳述：高輸出RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

最低幾率（MHz）：2400

增加收益（dB）：15.7

封裝類型行業類別：Earless

表現

關鍵單脈沖CW穩定性，2400 MHz，48 V，10μs激光脈沖頻段，10%占空比，女子組合輸入

P4dB=600 W時的轉換輸出

P4dB=60%時的錯誤率

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