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發布公告精力：2024-12-02 17:14:36 觀看：679

CMPA0060002D不是種含有氮化鎵（GaN）高手機轉遷率結晶管（HEMT）的單面微波通信模塊化電源線路（MMIC）。與硅或砷化鎵相對比較，GaN享有愈加非常好的的能，主要包括更為重要的損壞場強、更為重要的供大于求微電子漂移強度與更為重要的熱傳導指數。與Si和GaAs晶狀體管相信較，GaN HEMT還保證更大的電功率比熱容和更寬的傳輸速率。CMPA0060002D使用的區域劃分式（導波）拖動器制定策略，并能在更小的負載面積計算內推動極寬的上行速率。