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900 V分立氫氟酸處理硅MOSFET CREE

披露時間：2024-12-17 11:21:28     訪問：672

CREE發展了其在增碳硅（SiC）方法中的主導性國際地位，低電感分立打包封裝有寬沿面和漏極與源極相互之間的間隙空距（~8mm）。900 V分立氫氟酸處理硅MOSFET靈敏運營2017最新的MOSFET集成塊中頻耐腐蝕性，以及保證采用于高水空氣的污染的超預算電氣電源開關防護。人格獨立的開爾文源管腳下降了工率電感；然而電源開關損耗量下降了30%。設計制作師應該憑借從硅基轉到硅基來減小元器件封裝量；憑借延長面板開關耐腐蝕性，應該憑借三電平拓補轉化成成高效的兩電平拓補。

特性

在總體工作中水溫空間內，最低值電壓降是900V Vbr

帶驅動軟件源的低阻抗匹配封裝類型

高傳導直流電壓，低RDS（關掉）

低單向回到（Qrr）的高效性本征場效應管

極為有利的于串聯，施用方便

MOSFET.png

的優勢

用降低電源開關和傳接損耗率提高自己機系統學習效率

變現高電源開關幾率反控

增長整體級電率孔隙率

減小系統化面積；凈含量；和閉式冷卻塔的需求

啟動服務器新的硬按鈕拓撲關系（Totem Pole PFC）

典范用

電機馬達控制體統

新綠色能源快速充電站平臺

救急主機電源（UPS）

蓄電池測量系統

新生物質能智能車極速電動車充電程序

車截充家用電器器

傳動傳動部件傳動部件

焊接方法加工

河南市立維創展科枝有效子公司代理權代理商CREE徽波電子元器件，假如必須 購CREE設備，請點擊事件右邊電話客服認識人們！！！

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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