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ADRF5132是款高瓦數、反射面性、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單極、雙擲（SPDT）散射面板開關，的使用無絞線外表貼裝封裝結構類型結構類型。該交易機有點適高工率和蜂窩狀知識基礎配套設施基本建設應用，如長事件演化（LTE）移動通信基站生產設備。ADRF5132滿足35 dBm LTE的高工作電壓治理 成功率（在105°C下的平均典型案例值），2.7 GHz下0.6 dB的低添加圖片自然損耗，65 dBm的讀取三階截距（典范值）和42.5 dBm的0.1 dB縮減（P0.1dB）。

ADRF5132板上電三極管在5V的過于單一正外接電源直流電壓和1.1mA的一般電源模塊電壓下電腦運行，使ADRF5132是依托于pin電感的控制開關的好化使用品。

ADRF5132常用具備RoHS標準的家用suvsuv型16管腳3 mm×3 mmLFCSP芯片封裝方式。

表現形式

反射層性，50?來設計

低進到這一領域自然損耗：2.7 GHz時典型示范為0.6 dB

TCASE=105°C時的高工作功率克服

長的時間（>10年運動）

最好功效：43 dBm

CW工作功率：38 dBm

LTE峰峰值熱效率（8 dB標準規定桿數）：35 dBm

單慘案（<10秒工作）

LTE頂值瓦數（8 dB條件桿數）：41 dBm

高平滑度

P0.1dB:42.5 dBm舉例值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的典型案例指標值65 dBm

ESD額定值

HBM:2 kV，2級

CDM：1.25 kV

單正供電：5V

順向調控，兼容CMOS/TTL

16管腳，3mm×3mm LFCSP打包封裝形勢

應該用

蜂窩狀/4G基礎條件體系規劃

手機無線網咯基礎框架體系建設規劃

軍事化和高靠得住性采用

分析儀分析儀器

Pin場效應管重命名

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