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?再者代650 V裸片SiC MOSFET

公布的時段:2025-01-03 16:57:39     瀏覽訪問:630

行在業內超頂級導通內阻和按鈕開關耗損率,也可以體現合適效果和效率容重因素。

Wolfspeed只能根據四代650 V SiC MOSFET多了其氫氟酸處理硅(SiC)工藝上的主導性地方。在更率先的供電系統的中滿足需要休型更小、體重更輕、高些效的供電轉換。650 V SiC MOSFET是使用性能優越產業交流電源、服務性器/鐵通網絡信息供電、新清潔能源電動伸縮車(EV)充值裝置、儲能技術專用設備、應急方案交流電源(UPS)和手機電池處理軟件等功能鍵的最適宜首選。

有特點

超低溫壞境的低導通電阻值

低寄生菌濾波電容

符合不高反方向復原的科學規范穩壓管

繼續氣溫操作(Tj=175°C)

MOSFET.png

優勢與劣勢

在調低按鈕開關和視頻傳輸消耗的資金的提升機器高效率

達成高啟閉平率調節

延長機系統級電率強度主要參數

減小保護裝置品種;體積;和空氣冷卻的標準

典型案例用途

工業開關電源

服務項目器/聯通寬帶網站

新能量充能樁試驗裝置

儲能技術機器設備(ESS)

應激電原(UPS)

電芯管控操作系統(BMS)

CREE科銳于2017年分離處理出微波通信頻射加盟品牌Wolfspeed,以聯通寬帶、大耗油率增加器廠品為特性。

杭州市立維創展科學是CREE的代理商商,得到CREE微波通信配件競爭優勢購貨方法,征信確保正品網站正品網站。

*位置類型需申請書美用于出口許證。商品詳情頁了解一下大多尺寸,祝賀咨訊立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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