公布的時段:2025-01-03 16:57:39 瀏覽訪問:630
行在業內超頂級導通內阻和按鈕開關耗損率,也可以體現合適效果和效率容重因素。
Wolfspeed只能根據四代650 V SiC MOSFET多了其氫氟酸處理硅(SiC)工藝上的主導性地方。在更率先的供電系統的中滿足需要休型更小、體重更輕、高些效的供電轉換。650 V SiC MOSFET是使用性能優越產業交流電源、服務性器/鐵通網絡信息供電、新清潔能源電動伸縮車(EV)充值裝置、儲能技術專用設備、應急方案交流電源(UPS)和手機電池處理軟件等功能鍵的最適宜首選。
有特點
超低溫壞境的低導通電阻值
低寄生菌濾波電容
符合不高反方向復原的科學規范穩壓管
繼續氣溫操作(Tj=175°C)
優勢與劣勢
在調低按鈕開關和視頻傳輸消耗的資金的提升機器高效率
達成高啟閉平率調節
延長機系統級電率強度主要參數
減小保護裝置品種;體積;和空氣冷卻的標準
典型案例用途
工業開關電源
服務項目器/聯通寬帶網站
新能量充能樁試驗裝置
儲能技術機器設備(ESS)
應激電原(UPS)
電芯管控操作系統(BMS)
CREE科銳于2017年分離處理出微波通信頻射加盟品牌Wolfspeed,以聯通寬帶、大耗油率增加器廠品為特性。
杭州市立維創展科學是CREE的代理商商,得到CREE微波通信配件競爭優勢購貨方法,征信確保正品網站正品網站。
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Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Gate Charge Total | Output Capacitance | Reverse Recovery Charge (Qrr) | Reverse Recovery Time (Trr) | Tjmax | Generation |
CPM3-0650-0015A | 650 V | 15 mΩ | 120 A | 190 nC | 290 pF | 510 nC | 22 ns | 175 °C | Gen 3 |
CPM3-0650-0045A | 650 V | 45 mΩ | 49 A | 63 nC | 100 pF | 247 nC | 13 ns | 175 °C | Gen 3 |
CPM3-0650-0060A | 650 V | 60 mΩ | 37 A | 46 nC | 80 pF | 151 nC | 11 ns | 175 °C | Gen 3 |