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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極參數為1.25mm。它是在瓷質BI打包芯片封裝形式，電腦運行可以達到10千兆赫。BI系列的便用特有設計的瓷質打包芯片封裝形式，具備著耐折（Bi-G）或直（BI）引線的按照習慣。打包芯片封裝形式底端的法蘭部并且算作直流電接地保護裝置、rf射頻接地保護裝置和熱路。整組成部分是符合要求RoHS標準化的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
合理有效熱管散熱的下方

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機