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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系例的十一些。HIFET是一些配對的專利申請設施設備性能，用做高電阻、高電耗油率和帶寬用途。該電子元件的總電子元件外場為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高電耗油率微波加熱用途而設計方案構思的，工作的頻次高達模型6GHz。BI系例采取1種特色設計方案構思的瓷器打包封裝形式，享有內彎或垂直的引線安裝途徑。打包封裝形式底端的法蘭部并且看作直流電壓一定接地線、微波射頻一定接地線和熱路。整個HiFET是完全符合RoHS標淮的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
用來高效熱量散發的工業陶瓷裝封

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信