S波長油田砷化鎵場邊際效應晶胞管AM030MH4-BI-R
發布消息時間間隔:2018-11-07 11:32:45 搜索:1705
描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙系列作品的GaAs HIFET的有一部電影分。HIFET是的部位篩選的發明權專用設備配值的高電阻,高任務電壓,高規則化度和網絡帶寬選用。該電子元件的總電子元件周邊為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高任務電壓微波微波射頻選用而設定的,任務幀率高達mg3GHz。BI系列作品的適用一項特異設定的陶瓷圖片芯片裝封,具備拉伸或水平線的引線和凸緣裝有行為。芯片裝封下方的蝶閥法蘭時候為交流電等電位連接、微波射頻等電位連接和熱路。這位HiFET是具有RoHS規格的。
品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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511AM030MH4-BI-R RLB
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1周
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50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
于有效率散熱器的陶瓷制品打包封裝
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信