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應用享有獨立性柵極偏置有效控制的串行納米線管的GaN HEMT變大器的直線改善

發布信息準確時間：2018-05-04 13:53:07     訪問 ：9542

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：食用體現了獨特柵極偏置把控的串并聯結晶體管的GaN HEMT圖像運放電路的線性網絡增加。 GaN HEMT享有較高的傷害線電壓耗油率溶解度和較寬的服務器帶寬使用率。但有，GaN HEMT的線形具代表性地比GaAs集成電路芯片的線形更差。下面提供 了了種很簡單的策略來提高了GaN HEMT的線形度。所提供 的策略是將集成電路芯片切割成與經濟獨立保持的柵極偏置線電壓串并聯的幾個子單園，但是將耗油率合并給子單園傷害線電壓。辦演圖像功率放大器..
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