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徽波元電子電器元件
AM005WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系類的三部位。HiFET是用做進行高壓、大電機功率和聯通寬帶操作的部位匹配好元元器封裝性能。該部位的總元元器封裝內圍為1毫米左右（2個0.5毫米左右結合場現象尖晶石管）。AM005WH2-BI-R專為高輸出功率紅外光運用而的設計，崗位率高達12GHz。它也是越大電機功率設施設備的期望驅動包程序代碼。BI一系列利用特種設計方案的衛浴陶瓷芯片封裝，利用嵌到式重新安裝原則，帶著可以彎曲的（BI-G）或直（BI）接地極裝置線。打包封裝上端的卡箍同時重復使用電流接地極裝置、頻射接地極裝置和熱路通道。此部份契合RoHS。
功能
高達獨角獸12GHz的高頻方法
高收獲和高工作功率，P1dB=26 dBm@3.5 GHz
表明貼裝
有用排熱的低層
技術應用
無線網絡本市環交通網絡
蜂窩無線路由電無線通信
WLAN、中繼器和超廣域網
C光波VSAT
聲納