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紅外光元元件
AM020WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI品類的一個分。HiFET有的是種有些相配的專利申請設施儀器配值，中用高壓電、大瓦數和網絡帶寬操作。該有些的總設施儀器外部為4毫米左右（幾個2毫米（mm）FET結合）。AM020WH2-BI-R專為高耗油率微波加熱采用而設計方案，工作的頻繁 相當于12GHz。它也是較大功效機器的自然帶動程度。BI全系列選取非常規設計構思的淘瓷封口，選取放到式怎么安裝模式，攜帶打彎（BI-G）或直（BI）絞線。裝封底端的法蘭盤同一做為直流電壓一定跨接、微波射頻一定跨接和熱過道。此部門按照RoHS。
顯著特點
達到了12GHz的低頻控制
高增益值和高電功率，P1dB=33 dBm@4 GHz
接觸面貼裝
更有效熱量散發的框架
應用
wlan本土環公路網絡
蜂窩無線數字電數據通信
WLAN、中繼器和超廣域網
C股票波段VSAT
汽車雷達