Qorvo QPM5811 0.5W GaAs(砷化鎵)MMIC前段方案 (FEM) 簡化廣泛應用在規律范圍內為8.5GHz至10.5GHz的X光波雷達探測廣泛應用。QPM5811在形式化二極管封裝中集就成了散發點/讀取電開關、低躁聲變大器和最大輸出變大器。其讀取途徑供給26dB增加收益控制值,低躁聲數值為2.0dB。其散發點途徑供給30dB小移動警報增加收益控制值。該集成電路芯片可供給0.5W過飽和最大輸出,45%最大輸出擴展利用率 (PAE) 相應23.5dB大移動警報增加收益控制值。
Qorvo QPM5811前沿方案使用6.0mm x 6.0mm單單從表面貼裝QFN封裝,包塑成品封裝,具備有高傳熱性存儲芯片銜接的工藝。該封裝讓元器件封裝在常溫周圍環境中可以夠穩定漂亮的特性。它的尺寸省油的suv,可滿意X光波相控陣統計適用需求的協調一致晶格跨距規范。
基本特性
頻率范圍:8.5GHz至10.5GHz
飽滿導出最大功率 (PSAT):49.5dBm
耗油率疊加速率 (PAE):45%
大數字信號增益值:23.5dB
小訊號收獲:26dB
背景噪聲公式:2dB
6.0mm x 6.0mm QFN封口
無鉛、無鹵、達到RoHS指命
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