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微波通信元電子元件
AM025WN-BI-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總總寬為2.5mm。它不是個陶瓷圖片封裝形式，做工作工作頻率多達8千兆赫。BI系主要包括特有來設計的陶瓷廠家芯片封裝，主要包括置于式的安裝策略，有拉伸（BI-G）或直（BI）絞線。裝封上端的法蘭盤同時應用于交流電地線、微波射頻地線和熱綠色通道。此方面包含RoHS。
本質特征
獨角獸高達8GHz的高頻率操作的
增益控制=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
漆層貼裝
可行散熱器的下層社會
利用
高動圖發送器
蜂窩無限通信基站
帶寬和窄帶拖動器
汽車雷達
測量醫療儀器
日本軍事
干擾信號器