AM012WN-BI-R有的是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總屏幕寬度匹配為1.25直徑。它是在一款瓷器雙包進行操作高達模型10千兆赫。BI系列的采取特異開發的瓷器封裝類型,采取內嵌式裝設方式英文,配有微彎(BI-G)或直(BI)電線。封裝下端的法蘭盤并且當做整流保護跨接、頻射保護跨接和熱出入口。此大部分達到RoHS。
表現形式
達到了10GHz的低頻進行
增益控制=17dB,P5dB=37dBm,PAE=51%,漏極=55%@2.8ghz
表明貼裝
合理風扇散熱的低層
APP
高技術性推送器
蜂窩無線數字移動通信基站
聯通寬帶和窄帶調大器
雷達探測
測試圖片儀器設備
攻沙
干預器