AM012WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總屏幕寬度匹配為1.25分米。它也是個裸模,可操作步驟達到15千兆赫。它行打造舉例的37.7 dBm的呈現飽和狀態熱效率。此位置包含RoHS。
結構特征
到達15GHz的低頻方法
在2GHz時增益值=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
廣泛應用
蜂窩wifi通信基站
手機無線的局域網、中繼器
C光波VSAT
雷達天線
公測議器
國防
頻率:DC-15GHz
收獲:22
P1dB(DBM):36.1
PSAT(DBM):37.7
VD(V):28
AM012WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總屏幕寬度匹配為1.25分米。它也是個裸模,可操作步驟達到15千兆赫。它行打造舉例的37.7 dBm的呈現飽和狀態熱效率。此位置包含RoHS。
結構特征
到達15GHz的低頻方法
在2GHz時增益值=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
廣泛應用
蜂窩wifi通信基站
手機無線的局域網、中繼器
C光波VSAT
雷達天線
公測議器
國防