中文名
紅外光元電子原件封裝
AM020WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI題材的一款分。HiFET是種那環節搭配的發明權設配標準配置，使用于高壓變壓器、大輸出和聯通寬帶應用領域。該那環節的總設配外場為4亳米（兩位2分米FET串連）。AM020WH2-BI-R專為高額定功率徽波應用領域而設置，做工作頻繁 達到12GHz。它也是更廣工率機械設備的很理想驅動軟件編譯程序。BI產品適用專項 設計的概念的瓷磚封口，適用鑲入式裝有方案，中有耐折（BI-G）或直（BI）電纜線。芯片封裝左下角的卡箍并且可作整流跨接、rf射頻跨接和熱通路。此一些非常符合RoHS。
表現
將高達12GHz的低頻操作流程
高收獲和高電機功率，P1dB=33 dBm@4 GHz
的表面貼裝
有效的熱管散熱的低層
APP
移動本地網環公路網絡
蜂窩wlan電網絡通訊
WLAN、中繼器和超局域
C頻譜VSAT
聲納