CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該裝置操作UMMS 0.25μm電機功率pHEMT方法制作,包擴完成基鋼板的通孔和氣體橋。
為了讓簡略安裝時候:
存儲芯片的表面同樣頻射和電流接地裝置
焊盤和后邊均燙金,以與共晶集成ic黏附加工制作工藝 和熱壓鍵合加工制作工藝 兼容。
徽波元集成電路芯片
CHA7114-99F 變小器– HPA頻射帶寬起步(GHZ): 8.5-11.5增加收益(dB): 20IP3(dBm):-P-1dB輸出精度(dBm):-傳輸輸出(dBm):39.8進貨交貨時間:3-4周
CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該裝置操作UMMS 0.25μm電機功率pHEMT方法制作,包擴完成基鋼板的通孔和氣體橋。
為了讓簡略安裝時候:
存儲芯片的表面同樣頻射和電流接地裝置
焊盤和后邊均燙金,以與共晶集成ic黏附加工制作工藝 和熱壓鍵合加工制作工藝 兼容。