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CGH21120F就是一種氮化鎵（GaN）高智能電子轉遷率多多晶體管（HEMT），專為高率、高增益控制和網絡帶寬業務能力而制定，這不使CGH21120F是適用1.8-2.3GHz WCDMA和LTE變大器利用。多多晶體管適用瓷質/塑料法蘭部封裝類型。

基本特征?1.8-2.3 GHz控制?15 dB收獲?-35 dBc ACLR，20W人行道?20W門面時35%的生產率?可使用超高DPD標定