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Cree工司的CMPA2560025F也是種根據氮化鎵（GaN）高智能滲透率納米線管（HEMT）的片式微波射頻一體化線路（MMIC）。與硅或砷化鎵相對來說，GaN兼具高的線電壓擊穿線電壓、高的飽和智能漂移高速度和高的熱導率。與Si和GaAs納米線管相對來說，GaN-hemt還兼具高的最大功率強度和更寬的帶寬起步使用。這樣MMIC分為一位多級的反應配對縮放器，使極其寬的帶寬起步使用就可以在一位小的拆遷賠償體積的扭松封裝形式，兼具銅鎢水冷器。

表現?24 dB小預警增益值?25 W一般PSAT?上班線電壓達28 V?高額定電壓擊穿額定電壓?高溫度操作

廣泛應用?超高帶變成器?光纖線推動器?試驗器材?EMC擴大器