AM025WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總凈寬為2.5mm。它就是個工業陶瓷打包封裝,作業概率高達mg8千兆赫。BI系類用到特殊化設定的淘瓷裝封,用到融入式安裝程序方式,帶著屈曲(BI-G)或直(BI)電纜。封口邊側的卡箍時候用來作為交流電一定接地保護、rf射頻一定接地保護和熱過道。此一部分達到RoHS。
本質特征
高達hg8GHz的高頻實操
增益控制=16 dB,P5dB=40 dBm,PAE=52%,漏極=56%@3 GHz
表明貼裝
管用熱量散發的表層
應用軟件
高靜態接受器
蜂窩移動移動基站
網絡帶寬和窄帶變大器
預警雷達
考試儀器設備
美國軍事
干預器