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AM012WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總：寬度為1.25mm。它是在兩個陶瓷廠家雙包實際操作達到10千兆赫。BI類型按照比較特殊設計制作的淘瓷芯片封裝，按照鑲入式安裝方式英文，帶著變形（BI-G）或直（BI）電纜線。二極管封裝尾部的法蘭盤時候用做直流變壓器等電位連接、rf射頻等電位連接和熱通路。此的部分適用RoHS。

本質特征

高至10GHz的高頻率操作的

增益值=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz

表面層貼裝

合理有效風扇散熱的最底層

操作

高動態化傳輸器

蜂窩無線wifi基站設備

光纖寬帶和窄帶增加器

聲納

檢驗議器

國防

要素器