AM005WN-BI-R不是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總大小為0.5mm。它也是個陶瓷制品芯片封裝,業務速率能達12ghz。BI系列產品適用特色設定的陶瓷廠家二極管封裝,適用鑲入式配置具體方法,中有打彎(BI-G)或直(BI)電纜。裝封左下角的法蘭盤互相當做直流電等電位連接、頻射等電位連接和熱通暢。此地方符合要求RoHS。
基本特征
達12GHz的高頻率運營
增益控制=15dB,P5dB=33.5dBm,PAE=51%,漏極=56%@3GHz
表皮貼裝
有效性水冷的框架
廣泛應用
高動態展示發收器
蜂窩wlan通信基站
帶寬和窄帶調大器
雷達天線
測量分析儀器
軍事
抑制器