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CGHV96050F2增碳硅高電子為了滿足電子時代發展的需求，遷址率尖晶石管 微商代理現貨平臺

發布公告時刻：2019-02-22 10:22:17     訪問：1762

50 W，7.9 - 9.6 GHz，50歐姆，復制粘貼/工作輸出匹配好GaN HEMT


Wolfspeed的CGHV96050F2是無定形碳硅（SiC）柔性板上的氮化鎵（GaN）高電子無線搬遷率晶狀體管（HEMT）。與其他的枝術相比較，這GaN外部切換（IM）FET擁有很棒的工作學習效率額外添加學習效率。與硅或砷化鎵較之，GaN都具有出色的性能方面，主要包括更加高的熱擊穿交流電壓，更加高的飽和點電商漂移運行速度和更加高的傳熱性率。與GaAs晶胞管相對于，GaN HEMT還供給不大的電率溶解度和更寬的上行寬帶。該IM FET用到金屬材質/陶瓷圖片法蘭部封裝，具備著最佳的的機械和性熱能。

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV96050F2 1周 300
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特征

  • 80 W POUT一般值


閥值傷害馬力 50W
APP L光波/ S光波/ X光波/ C光波/ Ku光波
典型案例的工率額外添加熱效率PAE 55％
典型的工作效率（PSAT） 80瓦
電機功率增益值 10聲音分貝
做工作相電壓 40 V
規律 7.9 - 9.6 GHz
封裝的類型 輪緣
組織結構配對 是 - 50Ω

示意圖

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