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XC2100E-03S是一種低剖面，高性能的3dB混合耦合器在一個新的易于使用，制造友好的表面安裝包。它是為NMT波段應用而設計的。XC2100E-03S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊密幅度相位平衡的應用而設計的。它可用于高達45瓦的大功率應用。零件經過嚴格的鑒定測試，并使用熱膨脹系數（CTE）與常見基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4350和聚酰亞胺）兼容的材料制造。可用于5/6錫鉛（XC2100E-03S）和6/6符合RoHS標準的浸錫（XC2100E-03S）。

XC2100E-03S基本特征：

?2.0 - 2.3GHZ

?不超

?極為低的消耗

?緊緊振動幅度平穩

?高分隔度

?產出友好合作型

?磁帶和卷盤

?供應無鉛（無闡述）或錫鉛

?可靠，擬合度=0.53

XC2100E-03S首要運作

概率（GHZ）：2.0 - 2.3

工作電壓（W）：100

回波衰減（dB）：24.9

插進耗用（dB）：0.12

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